南宁市华贝特电子科技有限公司
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南宁山特C1K标机
南宁市华贝特电子科技有限公司是一家提供广西UPS不间断电源、广西EPS应急电源、广西UPS免维护蓄电池及电源产品及X技术服务的高新技术企业。
山特品牌的UPS电源很多客户都在使用中，该品牌具有很高的性价比，山特C1K标机的主控板运用的技术是很多国内UPS电源厂家所仿效的，下面我们根据主控板的实际工作情况了解下如何既限制主MOS管X大反峰又使RCD吸收回路功耗X小：
X先对MOS管的VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次X反射初X的VOR；
ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收X电压VRCD1。
对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依X高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次X反射初X的VOR。
VOR是依在次X输出X高电压,整流二极管压降X大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR＝(VF Vo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管VD的余量VDS。
VDS是依MOS管VD的10%为X小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDC＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收VRCD。
MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的X大值。实际选取的VRCD应为X大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：
① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合。
② MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）。
③ VRCD是由VRCD1和VOR组成的。
④ VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）。
⑤ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
ⅴ，RC时间常数τ确定。
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。
试验调整VRCD值
X先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）。一个合适的RC值应当在X高输入电压，X重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在X低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在X高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的X大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
RCD吸收电路中R值的功率选择
R的功率选择是依实测VRCD的X大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
RCD吸收电路中的R值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果R值如果过大，MOS管就存在着被击穿的危险。
